香港半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部门（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部门）组成。五个部门意义如下： 第一部门：用数字表示半导体器件有效电极数量。2-二极管、3-三极管 第二部门：用汉语拼音字母表示半导体器  半导体 件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部门：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部门：用数字表示序号 第五部门：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 

     日本半导体分立器件型号命名方法 日本出产的半导体分立器件，由五至七部门组成。通常只用到前五个部门，其各部门的符号意义如下： 第一部门：用数字表示器件有效电极数量或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部门：日本电子产业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子产业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部门：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部门：用数字表示在日本电子产业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子产业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的机能相同的器件可以使用统一顺序号；数字越大，越是最新产品。 第五部门：用字母表示统一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子产业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部门：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部门：用数字表示pn结数量。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部门：美国电子产业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子产业协会（EIA）注册登记。 第四部门：美国电子产业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子产业协会登记的顺序号。 第五部门：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-统一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

 国际电子联合会半导体型号命名方法：

 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部门组成，各部门的符号及意义如下：

      第一部门：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 

   第二部门：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-地道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封锁磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部门：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部门：用字母对统一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示统一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部门外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1．稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部门是一个字母，表示不乱电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部门是数字，表示标称不乱电压的整数数值；后缀的第三部门是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称不乱电压的小数值。 2．整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3．晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 

       欧洲有些国家命名方法 第一部门：O-表示半导体器件 第二部门：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部门：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部门：A、B、C┄┄-表示统一型号器件的变型产品。 未来发展编纂 以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体工业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED率先实现商品化出产 成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相称大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件，这种电子开关可以提供平稳、无中断电源 [